三星研制出首款40纳米内存 年内量产

2009-02-04 17:53 来源：比特网 作者：张颖 三星电子日前研发出了世界首款40纳米1GDDR2动态内存(1纳米等于十亿分之一米)，今年第3季度将实现量产。 　　比特网(ChinaByte)2月4日消息(张颖) 继05年率先开发出60纳米内存、06年开发出50纳米内存后，三星电子日前研发出了世界首款40纳米1GDDR2动态内存(1纳米等于十亿分之一米)，今年第3季度将实现量产。

　　据了解，40纳米内存与目前普遍使用的50、60纳米内存相比，芯片面积更小，同时可以在低电低压的环境下运行。1.2V环境下运行的40纳米内存能够比50纳米1.5V内存减耗30%以上，从而为服务器等高耗能设备提供更加环保高效的能源解决方案。

　　三星电子还透露，在2009年还将实现40纳米2GDDR3的开发和量产，该产品将比去年9月量产的50纳米2GDDR3生产效率提高约60%。